半导体道工艺设备(第4页)_深圳市矢量科学仪器有限公司

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分类半导体道工艺设备

产品分类

8英寸电感耦合等离子体刻蚀（ICP）设备
型号：Pishow® A 系列参考价：￥咨询

详细介绍icp是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目被广泛应用于si、sio2、sinx、..

所在地：中国大陆
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8英寸电感耦合等离子体-深硅刻蚀设备
型号：Pishow® D 系列参考价：￥咨询

pishow® d 系列深刻蚀设备，是针对8英寸~6英寸产线或科研深硅刻蚀工艺的用设备，拥有自主开发的优化设计，保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。提供si bosch工艺的解决..

所在地：中国大陆
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电容耦合等离子体刻蚀（CCP）设备
型号：Haasrode® Avior® A 参考价：￥咨询

ccp腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 haasrod..

所在地：中国大陆
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8英寸电感耦合等离子体化学气相沉积设备
型号：Shale® C 系列参考价：￥咨询

shale® c系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（icp-cvd），通过电感耦合（icp）产生高密度等离子体，并通过电容耦合（ccp）产生偏压，可实现低温、高致密、低损伤、优..

所在地：中国大陆
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8英寸等离子体增强化学气相沉积设备
型号：Shale® A 系列参考价：￥咨询

shale® a系列等离子体增强化学气相沉积设备（pecvd），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、teos、bpsg、氮化..

所在地：中国大陆
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等离子增强原子层沉积PEALD
型号：Fiji 参考价：￥咨询

我们的 fiji® 系列是一种模块化、高真空热原子层沉积系统，采用灵活的架构和多种驱体和等离子体气体配置，可适应各种沉积模式。fiji g2 是下一代 ald 系统，能够执行热成..

所在地：美洲
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物理气相沉积PVD
型号：NEXUS 参考价：￥咨询

veeco 的单靶点 nexus pvdi 物理气相沉积系统为各种薄膜沉积应用提供了大的灵活性。nexus pvd 的加工精度为 200 毫米，具有先进的工艺能力、无与伦比的均匀性和多种沉..

所在地：美洲
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等离子体沉积ALD
型号：AD-230LP 参考价：￥咨询

ad-230lp是一种原子层沉积（ald）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因..

所在地：日本
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紫外线臭氧清洗设备
型号：UV-300HC 参考价：￥咨询

uv-300hc是一款高性能的盒式装载uv臭氧清洗机，用于生产。这个行业先的系统有2个装载盒，可以达到200-300nm/min的高灰化率。该系统利用紫外线照射、高浓度臭氧和可控阶段加热的..

所在地：欧洲
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紧凑型刻蚀设备
型号：RIE-1C 参考价：￥咨询

rie-1c是用于半导体芯片故障分析的小型台式干式蚀刻系统。可以高效、低损伤地去除钝化膜。它操作简单，样品放置后只需按一下按钮就可以完成整个过程。可以放在桌面上，也可以选择用支架。

所在地：日本
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等离子刻蚀设备
型号：RIE-300NR RIE 参考价：￥咨询

rie-300nr是一种理想的rie等离子刻蚀设备，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3“×12，ø4“×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在大限度..

所在地：日本
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等离子刻蚀设备
型号：RIE-200C RIE 参考价：￥咨询

rie-200c是在拥有丰富交货业绩的ccp rie系统 “rie-10nr “的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对si、poly-si、sio₂、sin等各种硅薄膜进..

所在地：日本
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等离子体（ICP）刻蚀设备
型号：RIE-800iP 参考价：￥咨询

高密度等离子体刻蚀设备采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。

所在地：日本
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等离子刻蚀设备
型号：RIE-10NR 参考价：￥咨询

rie-10nr是一种新型的低成本、高性能的全自动rie等离子刻蚀设备，它能满足非腐蚀性气体化学苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面。

所在地：日本
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等离子体刻蚀设备
型号：RIE-230iP 参考价：￥咨询

rie-230ip是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型icp蚀刻系统。该系统通过采用龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜..

所在地：日本
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等离子体刻蚀设备
型号：RIE-400iP 参考价：￥咨询

rie-400ip是用于ø4 “晶圆的负载锁定型蚀刻系统，等离子体（icp）刻蚀设备可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用龙卷风线圈的电感耦合等离子体(induct..

所在地：日本
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多功能溅射、电子束和热蒸发沉积平台
型号：PRO Line PVD 200 参考价：￥咨询

kurt j. lesker company pro line pvd 200 是一种模块化、功能齐全的薄膜沉积系统，可实现 8 英寸晶圆转移、多达 8 个溅射阴和 eklipse 高控制..

所在地：美洲
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等离子体刻蚀设备
型号：RIE-800iPC 参考价：￥咨询

高密度等离子体刻蚀设备系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。

所在地：日本
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深硅刻蚀设备
型号：RIE-802BCT 参考价：￥咨询

rie-802bct深硅刻蚀设备是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工..

所在地：日本
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电感耦合等离子体
型号：RIE-800iPB 参考价：￥咨询

samco 的 rie-800ipb 是一种电感耦合等离子体刻蚀设备，使用高密度等离子体进行 mems 和 tsv 应用所需的深度硅蚀刻。rie-800ipb是为bosch工艺设计的用硅蚀..

所在地：日本
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