1. 产品概述：

RIE-10NR 是一种新型的低成本、高性能、全自动反应离子刻蚀系统，能够满足非腐蚀性气体化学苛刻的工艺要求。计算机化触摸屏为工艺配方编程和存储提供了用户友好的界面。该系统可以实现精确的侧壁轮廓控制和材料之间的高蚀刻选择性。凭借其圆滑、紧凑的设计，RIE-10NR 只需要很小的洁净室空间。

2. 设备应用：

· 可用于硅、二氧化硅、氮化硅、多晶硅、砷化镓、钼、铂、聚酰亚胺等材料的腐蚀。

· 适用于在失效分析中的选择性层腐蚀。

· 常用于集成电路半导体芯片材料（包括：Si、SiO2、SiNx、NbN、二维材料等）的等离子体刻蚀工艺。

3. 设备特点：

· 加工能力广泛：可加工至 ø220mm（ø3“x5，ø4”x3，ø8”x1），能满足多种尺寸规格的加工需求。

· 高选择性各向异性蚀刻：能够满足严格的工艺要求，实现全自动 “一键式” 操作，方便快捷且保证了工艺的稳定性和准确性。

· 自动压力控制：允许独立于气流干泵和系统布局进行过程压力精确控制，便于维护，确保了压力控制的灵活性和可靠性。

· 用户界面友好：基于 Windows 的用户界面，具有丰富的配方和内置的数据记录功能，方便用户进行操作和数据管理，同时也体现了系统的可靠性和持久性，全球已安装了 400 多个系统。

4. 产品参数：

· 基板尺寸：大可处理 220mm（ø3“x5，ø4”x3，ø8”x1）。

· 负载开放式上下电：ø240mm。

· 射频功率：300 瓦 @13.56 兆赫，自动匹配（500 瓦为选项），并且可切换射频供电电（阳 / 阴模式）为选项。

· 气体管道：内部 2 条 MFC 控制的气体管道（多 6 条）。

· 泵：干泵（500 升 / 分钟）。

· 操作系统：触摸屏操作（可选择基于 Windows 的用户界面）、配方管理 。

· 端点检测：光学发射光谱（OES）作为一种选择。

· 尺寸：500mm（宽）x920mm（深）x1501mm（高）。