1. 产品概述：

RIE-802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。

2. 设备应用：

MEMS的制造（加速度传感器、陀螺传感器、压力传感器、执行器等）。喷墨打印头加工、通过TSV形成通硅。生产功率器件(超结MOSFET)、等离子切割。

3. 设备特点：

RIE-802BCT 具有多项显著的性能优势。先，它能够进行高长宽比加工（超过 100），这对于需要精细刻蚀的深硅工艺来说至关重要。独特的等离子体发生器和反应器结构，在保持垂直蚀刻形状的同时，实现了高宽比加工，能够满足诸如 MEMS 制造、喷墨打印头加工、通硅形成以及功率器件生产等多种应用的需求。其次，通过高速切换气体，在保持蚀刻速度的同时，可以减少扇贝，从而提高刻蚀的精度和质量。例如，在 MEMS 的制造中，加速度传感器、陀螺传感器、压力传感器和执行器等的制造都对刻蚀的精度和形状有高的要求，RIE-802BCT 能够出色地完成这些任务。

4. 产品参数：

产品参数：标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。设备的反应腔体、下电、基板尺寸、RF 电源、Gas 系统、真空系统等均有特定规格。

实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。