1. 产品概述：

RIE-800iP 是一种采用电感耦合等离子体作为放电形式的高密度等离子体蚀刻系统，配备真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。

2. 设备应用：

· 适用于 GaN、GaAs、InP 等化合物半导体的高精度加工。

· 可用于 SiC、SiO₂的高速加工。

· 能够蚀刻铁电材料（如 PZT、BST、SBT 等）、电材料（如 Pt、Au、Ru、Al 等）以及其他难以蚀刻的材料。

· 可应用于复合式半导体晶片的等离子切割和薄型化。

3. 设备特点：

· 新的 ICP 源：“HSTC™: Hypersymmetrical Tornado Coil”，可高效稳定地应用高射频功率（2 千瓦以上），并实现良好的均匀性。

· 大流量排气系统：排气系统直接连接到反应室，可实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。

· 下电升降机构：优化了晶片和等离子体之间的距离，确保良好的平面内均匀性。

· 易于维护的设计：TMP（涡轮分子泵）集成在设备中，便于更换。

4. 产品参数：

· 基板尺寸：可适应一定尺寸范围的基板加工，具体尺寸需根据实际型号确定。

· 射频功率：如能提供较高的射频功率（例如 2 千瓦以上），且具备自动匹配功能。

· 气体管道：有多条气体管道，内部可能有 2 条或更多 MFC 控制的气体管道，以满足不同工艺气体的需求。

· 泵：通常配备干泵，如流量为特定数值（如 500 升 / 分钟）的干泵，用于维持系统的真空环境。

· 操作系统：可能具有基于 Windows 的用户界面，方便进行工艺配方管理和数据记录等操作。

· 端点检测：可具备光学发射光谱（OES）等端点检测方式，以精确控制蚀刻过程。

· 尺寸：设备的整体尺寸（如宽、深、高）会根据其设计和结构有所不同

· 实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。