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产品分类

电镀设备
型号：customized 参考价：￥咨询

1. 应用域：pillar，bump，rdl，tsv等工艺2. 晶圆尺寸：150mm~300mm

所在地：中国大陆
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化学机械抛光机CMP
型号：customized 参考价：￥咨询

1.该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、sti、soi等产品的cmp平坦化抛光。通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆2.系统功能：手动上下片，程序自动进行抛光，配有..

所在地：欧洲
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划片机
型号：customized 参考价：￥咨询

应用方向：半导体晶圆、集成电路、qfn、发光二管、led芯片、太阳能电池、电子基片等的划切，适用于包括硅、石英、陶瓷、氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等

所在地：中国大陆
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减薄机
型号：customized 参考价：￥咨询

1. 可根据客户需求定制化各类工作台，满足各类半导体材料的研削薄化工艺2. 大晶圆尺寸：8英寸3. 砂轮规格：Ø203(od)mm4. 砂轮轴转速范围：0~6000 rpm5. ..

所在地：中国大陆
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半导体研磨抛光机
型号：customized 参考价：￥咨询

半导体研磨抛光机是一款操作简单的桌面型单面抛光设备，可搭配铜盘、锡盘、玻璃盘、不锈钢盘等，配合不同类型的抛光液，适用于各种半导体材料的研磨抛光，满足科研院校、企业的研发及小批量生产

所在地：欧洲
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中央供药系统
型号：customized 参考价：￥咨询

中央供药系统用于厂内供药，通过该系统可以按照设定的配比，将特定的药液通过相应的管路供应到制程中。适用药液包括：酸性（h2so4,hcl,hno3,h3po4,hf,boe等），碱性（nh4..

所在地：中国大陆
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全自动CMP晶圆清洗一体机
型号：GNP GPC-300A 参考价：￥咨询

韩国g&p的全自动cmp晶圆清洗一体机是一台可以自动抛光和清洁300毫米晶圆的机器。

所在地：其它
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CMP
型号：GNP POLI系列参考价：￥咨询

gnp poli-762是高通用性12英寸(300mm) cmp工艺而开发，也为先进晶圆制造商和耗材供应商设计的。gnp poli-500广泛用于耗材供应商，衬底制造商和芯片开发商的8“(..

所在地：其它
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CMP
型号：GNP POLI-610 参考价：￥咨询

gnp poli-610为蓝宝石等复合晶圆的cmp工艺开发而设计。特别是该系统对于晶圆工艺开发具有较低的拥有成本，材料评估和生产运行。

所在地：其它
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气相分解金属沾污收集（VPD）设备
型号：Seehund® A 系列参考价：￥咨询

seehund® a型气相分解金属沾污收集设备（vpd）是为集成电路制造、大晶圆生产及再生、先导工艺研发等行业提供金属沾污控制方案的产品。由于目的晶圆制造产业对金属沾污控制的要求..

所在地：中国大陆
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CMP
型号：GNP POLI-PCB系列参考价：￥咨询

g&p旗下的gnp poli-pcb系列cmp主要运用于研发，操作简单，成本低。

所在地：其它
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高研磨机
型号：Optium ASL-200 参考价：￥咨询

使用 veeco 的 optium® asl 200™ 研磨系统实现更高水平的控制和 tfmh 工艺产量。这种高精度硬盘头研磨系统可大程度地控制关键薄膜尺寸，并且设计..

所在地：美洲
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直拉法晶体生长系统单晶炉
型号：CGS1218 参考价：￥咨询

直拉法晶体生长系统单晶炉cgs1218，为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调..

所在地：美洲
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直拉法晶体生长系统单晶炉
型号：SC28 参考价：￥咨询

直拉法晶体生长系统单晶炉sc28为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组..

所在地：美洲
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直拉法晶体生长系统单晶炉
型号：SC24 参考价：￥咨询

直拉法晶体生长系统单晶炉sc 24为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料..

所在地：美洲
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直拉法晶体生长系统单晶炉
型号：CGS Lab 参考价：￥咨询

cgs-lab单晶炉是pva产品线中小的直拉法晶体生长系统，门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设..

所在地：美洲
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区熔晶体生长系统
型号：FZ-14 参考价：￥咨询

fz-14 区熔晶体生长系统是为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统..

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区熔晶体生长系统
型号：FZ-14M(G) 参考价：￥咨询

fz-14m(g)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发，该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化，并在籽晶上结晶，形成单晶，然后进行..

所在地：美洲
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区熔晶体生长系统
型号：FZ-30和FZ-35 参考价：￥咨询

fz-30和fz-35区熔晶体生长系统为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用..

所在地：美洲
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区熔法硅芯炉
型号：SR110 参考价：￥咨询

sr110区熔法硅芯炉的工作方式与区熔系统类似。该系统使用一个在高频感应线圈下直径为100毫米的多晶硅棒（源棒）。根据硅棒的长度，在多个拉动工艺中可以产生特定数量的硅芯；然后这些硅芯被用作..

所在地：美洲
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