半导体道工艺设备(第1页)_深圳市矢量科学仪器有限公司

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分类半导体道工艺设备

产品分类

刻蚀机终端检测设备
型号：customized 参考价：￥咨询

刻蚀机终端检测设备基本原理：通过特定波长谱线的强度变化来反映是否达到刻蚀终点。

所在地：中国大陆
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有掩膜光刻机
型号：MA12 Gen3 参考价：￥咨询

?1.手动、半自动、全自动有掩膜光刻机?2.高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米?3.基片尺寸可满足4、6、8、12英寸?4.经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元..

所在地：欧洲
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无掩膜/激光直写光刻机
型号：UV Litho-ACA 参考价：￥咨询

tp9000多路温度记录仪是一款支持多种温度传感器（热电偶、热电阻）同时测试记录，连接4g、wifi无线模块，实现数据远传，随时随地查看实时数据，数据超限手机微信/短信/电话等方式及时报警

所在地：中国大陆
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电子束光刻系统
型号：eLINE Plus 参考价：￥咨询

eline plus -为多种原位纳米加工技术的宽带宽应用而设计，超越了典型的电子束光刻(ebl)。

所在地：欧洲
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纳米压印系统
型号：GL6 R&D 参考价：￥咨询

1.支持基底材料：硅片、玻璃、石英、塑料、金属等2.纳米压印技术：旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式3.压印精度：优于10nm4.自动压印/自动脱..

所在地：中国大陆
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喷涂胶机
型号：AS8 参考价：￥咨询

产品介绍：1.在喷涂法中，喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度低，以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形..

所在地：欧洲
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实验型匀胶机
型号：customized 参考价：￥咨询

1. 适用基片尺寸：小于1cm小碎片及到8寸标准晶圆，非标准基片可定制载物盘2. 自动滴胶功能3. 支持去边、背洗、匀胶、显影、清洗、控温等功能模块个性化定制 4. 转速范围：20-100..

所在地：中国大陆
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实验型显影机
型号：customized 参考价：￥咨询

产品介绍：1.全封闭式桌面显影机，主要用于半导体制造中晶片的显影工艺，设备配有一路显影和一路水、一路气吹功能，并且喷嘴位置可程控移动，实现自动显影和清洗作业22.支持wafer尺寸：碎片至..

所在地：中国大陆
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等离子清洗&去胶机
型号：customized 参考价：￥咨询

1. 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蚀、材料涂覆2. 80 khz：功率 1000 或 3000 w 13.56 mhz：功率 0 - 300 w；0 - 600 w；0 - 10..

所在地：其它
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槽式湿法刻蚀清洗设备
型号：customized 参考价：￥咨询

应用域：rca清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管清洗等

所在地：其它
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磁控溅射镀膜机Sputter
型号：customized 参考价：￥咨询

应用域：巨磁电阻（gmr）、组合材料科学（cms）、半导体、超导体、纳米器件、光子学、光伏（pv）、oled（发光二管）、有机薄膜

所在地：其它
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热蒸发镀膜机Thermal Evaporation
型号：customized 参考价：￥咨询

设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜。蒸镀薄膜种..

所在地：美洲
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电子束蒸发镀膜机E-Beam
型号：customized 参考价：￥咨询

产品介绍 1.系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成2.设备用途：本系统配有一套电子..

所在地：美洲
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脉冲激光沉积镀膜机PLD
型号：customized 参考价：￥咨询

设备用途：是一种利用激光高能量脉冲辐射冲击固体靶时，激光与物质之间的所有物理相互作用，亦包括等离子羽状物的形成，其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移，及后物质沉淀在不..

所在地：其它
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等离子增强化学气相沉积PECVD
型号：customized 参考价：￥咨询

应用方向：高质量pecvd沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度led生产的硬掩模沉积和刻蚀的研制和生产。

所在地：欧洲
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电感耦合等离子体刻蚀ICP
型号：customized 参考价：￥咨询

应用方向：1.iii-v族材料的刻蚀工艺2.固体激光器inp刻蚀3.vcsel gaas/algaas刻蚀4.射频器件低损伤gan刻蚀5.硅 bosch和超低温刻蚀工艺6.类金刚石（dlc..

所在地：欧洲
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反应性离子刻蚀系统RIE
型号：customized 参考价：￥咨询

可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺，兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺，电的适用温度范围宽，-150°c至400°c。

所在地：欧洲
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离子束刻蚀系统IBE
型号：customized 参考价：￥咨询

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

所在地：中国大陆
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深硅刻蚀系统DEEP SI ETCH
型号：customized 参考价：￥咨询

提供深硅蚀刻（dsie）域的mems，先进封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。

所在地：中国大陆
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化学气相沉积MOCVD
型号：customized 参考价：￥咨询

mocvd设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向：ga2o3,gan, inp, gaas, insb, gai..

所在地：中国大陆
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