半导体道工艺设备(第13页)_深圳市矢量科学仪器有限公司

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分类半导体道工艺设备

产品分类

碳化硅外延系统
型号：MARS iCE115 参考价：￥咨询

mars ice115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。

所在地：中国大陆
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多片碳化硅外延系统
型号：MARS iCE120 参考价：￥咨询

mars ice120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。

所在地：中国大陆
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ICP刻蚀机
型号：NMC 508系列参考价：￥咨询

nmc 508系列 icp刻蚀机，等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率。

所在地：中国大陆
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8英寸通用物理气相沉积系统
型号：eVictor系列参考价：￥咨询

evictor系列 8英寸通用物理气相沉积系统，加热基座设计，具备良好的温度均匀性，高温厚铝工艺连续作业无累温。

所在地：中国大陆
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CCP介质刻蚀机
型号：NMC 508系列参考价：￥咨询

nmc 508系列 ccp介质刻蚀机，多频解耦设计，实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀。

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热原子层沉积系统
型号：Scaler HK430 参考价：￥咨询

scaler hk430 热原子层沉积系统，填孔能力以及良好的薄膜均匀性。

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ICP 刻蚀机
型号：NMC 508系列参考价：￥咨询

nmc 508系列 icp刻蚀机,等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率.

所在地：中国大陆
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化学气相沉积 (PECVD) 设备
型号：PD-2201LC 参考价：￥咨询

pd-2201lc 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了pecvd的所有标准功能..

所在地：日本
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无针孔薄膜沉积设备
型号：AL-1 参考价：￥咨询

al-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚..

所在地：日本
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原子层沉积（ALD）系统
型号：AD-230LP 参考价：￥咨询

ad-230lp是一种原子层沉积（ald）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因..

所在地：日本
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化学气相沉积 (PECVD) 系统
型号：PD-220NL 参考价：￥咨询

pd-220nl 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了pecvd的所有标准功..

所在地：日本
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化学气相沉积（PECVD）系统
型号：PD-3800L 参考价：￥咨询

pd-3800l是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（pecvd）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，..

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化学气相沉积等离子体CVD系统
型号：PD-220N 参考价：￥咨询

pd-220n是用于沉积各种硅薄膜（sio2、si3n4等）的等离子体cvd系统。 pd-220n在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。从尖端研究到半大..

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等离子体增强型CVD系统
型号：PD-200STL 参考价：￥咨询

pd-200stl是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力..

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等离子体增强CVD系统
型号：PD-270STLC 参考价：￥咨询

pd-270stlc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态t..

所在地：日本
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等离子体增强CVD系统
型号：PD-330STC 参考价：￥咨询

pd-330stc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态te..

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等离子体增强CVD系统
型号：PD-100ST 参考价：￥咨询

pd-100st是一种用于研发的低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等离子体增强cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低..

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深硅刻蚀设备
型号：RIE-802BCT 参考价：￥咨询

rie-802bct是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100..

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深硅刻蚀设备
型号：RIE-800BCT 参考价：￥咨询

rie-800bct是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅drie系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性。

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深硅刻蚀设备
型号：RIE-800iPB 参考价：￥咨询

samco 的 rie-800ipb 是一种高性能的电感耦合等离子体 (icp) 蚀刻系统，使用高密度等离子体进行 mems 和 tsv 应用所需的深度硅蚀刻。rie-800ipb是为bo..

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