1. 产品概述

提供深硅蚀刻（DSiE）域的MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。

2. 设备特点

光滑侧壁工艺；

高刻蚀速率腔刻蚀;

高深宽比工艺;

锥形通孔刻蚀;

机械或静电压盘,加热内衬;

延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）环形激光陀螺反射镜;

X射线光学系统;

红外（IR）传感器;

II-VI族材料，通信滤波器。