产品数据概览:

材料：硅

细杆

长度：长3200毫米

直径：大约8毫米

源杆

长度：长1,000 mm

直径：100 mm (4")

限真空度：5 x 10-2 mbar

大过压：0.35 bar(g)

发电机

输出电压：30 kW

频率：2.8 MHz

上拉式进料

拉动速度：高60毫米/分钟

下拉式进料

拉动速度：高10 mm/min

转速：高达20 rpm

尺寸规格

高度：7,300 mm

宽度：1,820 mm

深度:1,250 mm

占地面积（总计）：2,500 mm x 2,800 mm

重量（总计）：约6,000 kg

区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。