区熔晶体生长系统FZ-30和FZ-35

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型号：FZ-30和FZ-35
品牌： $brandModel.Title
所属地区：美洲
原产地：国外-国外
产品摘要：FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。

产品完善度：

更新时间：2026/9/8 1:56:36关注度：813

关键词标签：半导体,晶圆,长晶炉,区熔晶体生长系统,FZ-30和FZ-35,PVA,TePla

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在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3bar和5bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVATePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。
产品数据概览:
材料：硅
晶体
晶体拉动长度：2,700mm
晶体直径：长达200mm(8")
限真空度：2.5x10-5mbar
大过压：FZ-30:3.0bar(g)
FZ-35:5.0bar(g)

发电机
输出电压：120kW
频率：2.4MHz

上轴
进料速度：高达 30mm/min
上部旋转：高达 30rpm

下轴
拉动速度：高 30mm/min
下部旋转：高 30rpm

尺寸规格
高度：11,550mm
宽度：3,800mm
深度：4,050mm
面积（总计）: 5,000x6,000mm
重量（总计）：约14,000kg

区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。