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深圳市矢量科学仪器有限公司

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区熔晶体生长系统FZ-14M(G)

  • 参考价: 咨询
  • 型号:FZ-14M(G)
  • 品牌: $brandModel.Title
  • 所属地区:美洲
  • 原产地:国外-国外
  • 产品摘要:FZ-14M(G)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发,该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化,并在籽晶上结晶,形成单晶,然后进行光谱分析,以检测和记录所生产的多晶硅质量。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。

产品完善度:

更新时间:2026/9/8 1:56:36关注度:763

关键词标签:半导体,晶圆,长晶炉,FZ-14M(G)区熔晶体生长系统,PVA,TePla

支付方式:

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FZ-14M(G)区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料,使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒, 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外,上主轴可以在X或Y方向移动。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体拉动长度350 mm

晶体直径:长可达 25 mm

后真空度:2.5 x 10-5 mbar

大过压:2 bar(g)

发电机

输出电压:15 kW

频率:2.4 MHz (FZ-14M)

上轴

进料速度:高30 mm/min

上部旋转:高30 rpm

下轴

拉动速度:高30 mm/min

下部旋转:高30 rpm

尺寸规格

高度:3,000 mm

宽度:1,020 mm

深度:1,640 mm

面积(总):1,800 mm x 4,000 mm

重量(总):约2,500 kg

区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。






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