当前位置:阿仪网 > 半导体行业专用仪器设备 > 硅片制备/晶体生长设备 > 其他 > 深圳市矢量科学仪器有限公司 > 产品展示 > 其他道工艺设备 > 其他设备 > 区熔晶体生长系统FZ-14M(G)

产品完善度:
更新时间:2026/9/8 1:56:36关注度:763
关键词标签:半导体,晶圆,长晶炉,FZ-14M(G)区熔晶体生长系统,PVA,TePla
支付方式:
产品数据概览:
材料:硅
晶体
晶体拉动长度350 mm
晶体直径:长可达 25 mm
后真空度:2.5 x 10-5 mbar
大过压:2 bar(g)
发电机
输出电压:15 kW
频率:2.4 MHz (FZ-14M)
上轴
进料速度:高30 mm/min
上部旋转:高30 rpm
下轴
拉动速度:高30 mm/min
下部旋转:高30 rpm
尺寸规格
高度:3,000 mm
宽度:1,020 mm
深度:1,640 mm
面积(总):1,800 mm x 4,000 mm
重量(总):约2,500 kg
区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。
推荐产品