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更新时间:2026/9/8 1:56:36关注度:607
关键词标签:半导体,道,cmp后清洗,G&P
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1. 基本参数
适用晶圆尺寸:100mm(4") ~ 300mm(12")
配置:输入喷淋清洗,两个双面刷清洗和旋转漂洗干燥(可选:分离QDR)
清洗机尺寸:1610w 1260d 1640hmm电刷尺寸:070(外径)031(内径)170(长)毫米
预清洗工位:DIW喷雾清洗,工位间DIW帷幕清洗
辊刷工位
化学:nh4oh或DIW
刷头型式:PVA刷头,可同时清洗晶圆片的正反面
刷位调节:手动控制(可用刷隙范围:-10mm ~ 2mm)
转速:<满量程的±5%范围30 ~ 400rpm
化学品供应:4个喷嘴和通过毛刷
可用化学品:2个化学品[NH4OH]
化学和DI流量:<满量程的±5%。
转站
选项:超高速扫描
旋转速度:高2500转/分DI漂洗/ N2吹
控制工艺流程:手动加载,自动顺序,湿/干液晶触摸屏显示器,程序控制PLC式。
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