PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求。

2.设备应用：

晶圆尺寸

8/12 英寸兼容

适用材料

硅、氧化硅、氮化硅

适用工艺

2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀

适用邻域

集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统

3.特色优点：

刻蚀方式：采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，能够在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，且刻蚀均匀性、选择比更佳 135。

结构设计：每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现，可确保半导体器件制造工艺的质量和稳定性更优。并且机台可同时配置 6 个腔室，产能和性能表现优异 15。

晶圆边缘保护：通过优化机台晶圆边缘保护装置，有效提高了产品良率，其效果优于当行业产品指标 。

工艺应用：全面应用于国内各大 12 英寸主流 fab 厂，不仅是 TSV 量产生产线主力机台，还扩展至功率器件、CIS 等域。例如，在 TSV 工艺中表现出色；在 2.5D 工艺中，可提供能满足 BVR（背面通孔暴露）和 BFR（背面平整暴露）不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案。

4.设备特点

兼容Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺域覆盖

优化的进气系统和ESC系统，提高均匀性

快速进气系统，确保刻蚀速率高，Scallop小

实现高深宽比的形貌控制