1. 产品概述：

Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成

适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺

2. 工艺数据

3 μm Trench

0.4 μm Trench

0.25 μm Trench

2 μm Poly

0.18 μm Poly

3. 详细介绍

Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内<5%，片间<5%）和颗粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升提供帮助。