1. 产品概述

满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。

2. 产品优势

利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性
分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液
叠层控制，占地面积小，多可配置4个刻蚀单元

3. 应用域：

半导体制造中湿法刻蚀工艺
封装域中金属层刻蚀，满足UBM及RDL工艺要求
OLED 域中金属及金属氧化物（ITO/IGZO）刻蚀、缓冲层成膜的表面（SiO2）刻蚀清洗等工艺

满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。