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更新时间:2026/9/8 1:56:34关注度:848
关键词标签:RIE反应离子刻蚀机
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(1) 介电材料(SiO2、SiNx等)
(2) 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
(3) III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
(4) 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
(5) 类金刚石(DLC)
二、产品特点
1. 7寸彩色触摸屏互动操作界面,图形化用户操作界面显示,自动监测工艺参数状态,20个配方程序,可存储、输出、追溯工艺数据,机器运行、停止提示。
2. PLC工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。
3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。
4. 采用防腐数字流量计,实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
5. 采用花洒式多孔进气方式,改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。
6. HEPA高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。
7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。
8. 采用顶置真空仓,上开盖设计,下压式铰链开关方式。
9. 上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。
10. 有效处理面积大,可处理大直径200mm晶元硅片。
11. 安全保护,仓门打开,自动关闭电源。
三、技术参数
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型号 |
RIE200 |
RIE200plus |
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舱体内尺寸 |
H38xΦ260mm |
H38xΦ260mm |
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舱体容积 |
2L |
2L |
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射频电源 |
40KHz |
13.56MHz |
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电 |
不锈钢气浴RIE电,Φ200mm |
不锈钢气浴RIE电,Φ200mm |
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匹配器 |
自动匹配 |
自动匹配 |
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刻蚀方式 |
RIE |
RIE |
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射频功率 |
10-300W可调(可选10-1000W) |
10-300W可调(可选10-600W) |
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气体控制 |
质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调) | |
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工艺气体 |
Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等(可选) | |
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大处理尺寸 |
≤Φ200mm | |
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时间设定 |
1-99分59 | |
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真空泵 |
抽速约8m3/h | |
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气体稳定时间 |
1分钟 | |
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限真空 |
≤1Pa | |
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电 源 |
AC220V 50-60Hz,所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 | |
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