1. 产品概述

该ICPCVD工艺模块门设计用于在相对较低的生长温度下生产高质量的薄膜，其核心技术是采用高密度远程等离子体来实现。这种设计不仅使得薄膜的成核和生长过程更加可控，还有效地提高了薄膜的物理和化学性能。

通过高密度等离子体的使用，利用源自等离子体中的活性物质和离子，能够促进化学反应的发生，使得薄膜在较低的温度环境中仍能实现优质的沉积。这意味着在沉积过程中，能够有效地避免基板因过高温度而出现的热损伤，从而保护基材的结构与性能，确保终产品的可靠性和稳定性。

此外，该工艺模块为材料的多样性和应用广度提供了可能，适用于多种类型的薄膜沉积，包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。这使其在半导体、光电及微机电系统 (MEMS) 等行业中具有广泛的应用景。

2. 特色参数

更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺

高质量薄膜

电的适用温度范围宽

兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

快速更换不同尺寸晶圆

购置成本低且易于维护

紧密的设计，布局灵活

电阻丝加热电，高温度可达400°C或1200°C

实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺