1. 晶圆尺寸

• 支持多种晶圆尺寸，包括 2 英寸、4 英寸、6 英寸等。不同尺寸的晶圆可以在同一系统中进行切换，提高了设备的灵活性和适用性。

2. 沉积速率

• 沉积速率取决于具体的材料和工艺参数。一般来说，AIX G5 WW C 系统可以实现较高的沉积速率，例如对于某些化合物半导体材料，沉积速率可以达到几纳米/分钟甚至更高。

3. 薄膜均匀性

• 系统能够实现高均匀性的薄膜沉积。例如，对于 6 英寸晶圆，薄膜厚度的不均匀性可以控制在几个百分点以内。

4. 温度范围

• 加热系统可以提供广泛的温度范围，通常从几百摄氏度到一千多摄氏度。不同的材料和工艺需要不同的温度条件，AIX G5 WW C 系统可以满足各种温度要求。

5. 气体流量控制

• 精确的气体流量控制是实现高质量薄膜沉积的关键。AIX G5 WW C 系统配备了先进的气体流量控制系统，可以实现对各种反应气体的精确控制，流量控制精度可以达到几个百分点以内。

6. 真空度

• 系统需要在高真空或低气压环境下进行操作，以确保反应气体的纯度和薄膜的质量。AIX G5 WW C 系统通常可以实现较低的真空度，例如几个毫托甚至更低。