1 产品概述:

SiC用高温离子注入设备，如爱发科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的用设备。该设备搭载了高温ESC（静电吸附卡盘），能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入，有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。

2 设备用途：

​ SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生产工艺中，特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备，可以实现高温下的高能离子注入，控制注入离子的浓度和深度，从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。

3 设备特点

高温处理能力：设备能够在500℃的高温下进行离子注入，有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。

高能粒子注入：支持高能量的离子注入，如1价离子可注入至350keV（Option: 430keV），2价离子可注入至700keV（Option: 860keV），满足SiC晶圆对注入能量的高要求。

高吞吐量：通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构，实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理，将吞吐量提升至30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），满足量产需求。

自动化与智能化：设备具备自动连续高温处理注入的功能，减轻了操作员的负担，同时提高了生产效率和一致性。
4 技术参数和特点：

•可实现自动连续高温处理注入

•1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV

（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）

•通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；

（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）

•可减轻操作员的负担，紧凑式设计

•可大范围对应从试作到量产的各类需求