1 产品概述:

等离子CVD设备主要由反应室、气体供应系统、控制系统和加热系统组成。在设备中，通过引入特定气体并施加能量（如微波、射频等）激发产生等离子体，等离子体中的高能粒子（如电子、离子）与气体分子发生碰撞，促进化学反应的进行，从而在基底表面沉积形成所需的薄膜材料。

2 设备用途：

薄膜生成：等离子体可以加速化学反应，提高薄膜的生成速度和质量，适用于多种材料（如金刚石、氧化物等）的薄膜制备。

薄膜刻蚀：利用等离子体对薄膜表面进行刻蚀，去除杂质和损伤层，提高薄膜的性能。

薄膜掺杂：通过等离子体在薄膜中掺杂特定杂质，改变薄膜的电学、光学等性质。

基片处理：包括基片的刻蚀、灰化以及表面处理等，以改善基片的表面质量和后续薄膜的附着性。

3 设备特点

高效性：等离子体中的高能粒子能显著加速化学反应，提高薄膜的生成效率。

高质量：通过精确控制反应条件和等离子体参数，可以制备出高质量、高纯度的薄膜材料。

灵活性：适用于多种材料的薄膜制备，且可通过调整工艺参数实现薄膜性质的精确调控。

环保性：相比传统制备方法，等离子CVD设备在制备过程中产生的废弃物较少，有利于环境保护。
4 技术参数和特点：

枚叶式等离子CVD设备CMD系列

CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚叶式CVD设备。

和传统的工艺温度相比，每个unit的驱动系统可以在更高的温度下运行、开发真空搬送机械手来实现搬送系统的稳定性。

通过改善反应室的内部结构、气体供给系统，达到长期稳定的TEOS(SiO2)膜速率。

通过加热反应气体的通道，在排除设备中的气体排出、抑制配管Trap未使用时的配管副生成物的粘附、可以缩短保养时间。

可以轻松的完成单独基板管理，如成膜条件。