1. 产品概述

Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。

2. 设备用途/原理

Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能，高效传输设计，可提高产能，单、双、四腔兼容设计，可满足不同客户需求。

3. 设备特点

晶圆尺寸12 英寸适用材料 硅，适用工艺 N&P 常压硅外延，适用域 科研、集成电路。百度百科：‌常压硅外延系统的原理‌主要涉及到在单晶衬底上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，这层新生长的单晶层可以在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，从而生长出不同厚度和不同要求的多层单晶，以提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，当时为了制造高频大功率器件，需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层，以满足减小集电串联电阻、材料能耐高压和大电流的要求。此外，外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术和大规模集成电路中改善材料质量方面。