1. 产品概述

iTops PVD AlN 溅射系统，采用托盘形式，可兼容 2/4/6 英寸。

2. 设备用途/原理

iTops PVD AlN 溅射系统，采用托盘形式，可兼容 2/4/6 英寸，工艺温度在 0~700℃之间。占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便，设备稳定，运营成本低。

3. 设备特点

晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容。适用材料氮化铝。适用工艺氮化铝缓冲层溅射。适用域化合物半导体。百科：‌半导体溅射系统的原理主要是利用高能离子撞击靶材，使靶材的原子或分子从表面逸出，并沉积在半导体基片上，形成一层薄膜。溅射技术可以分为多种类型，包括直流溅射、交流溅射、反应溅射和磁控溅射等，不同类型的溅射技术适用于不同的应用场景。例如，直流溅射适用于导电材料的镀膜，而交流溅射则适用于导电性较差的材料。反应溅射可以在溅射过程中引入反应气体，以形成特定的化合物薄膜。磁控溅射则通过加入磁场来控制电子的运动路径，提高溅射效率和薄膜质量。