8英寸等离子体增强化学气相沉积设备功能特点你知道吗？

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8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备

系统特性

• 可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系的沉积方案

• 可提供双频设备，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa

• 可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求

• 8/6英寸兼容

详细介绍

Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

原创作者：深圳市矢量科学仪器有限公司