化学机械抛光机CMP
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产品介绍

1. 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。 通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆

2. 系统功能：手动上下片，程序自动进行抛光，配有终点监测装置，配置半自动loading & unloading托盘系统，8寸规格，方便8寸晶圆上下片

3. 抛光数据监测：具有摩擦力监测功能

4. 配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度

5. 抛光盘直径≥20inch(508mm) 转速范围：30-200rpm

6. 抛光头wafer加压方式：气囊加压，带有背压功能

7. wafer压力控制范围：70-500g/cm2

8. 保持环压力控制范围：70-700g/cm2

9. 抛光头转速范围：30-200rpm 摆动幅度：±10mm

10. 抛光液供应系统：3个可调流量蠕动泵供液，3路独立的抛光液通道，滴液位置可调

11. 配置摩擦力&温度终点监控系统：含用监测软件，带有End point detection功能

12. 控制系统：PC工控机控制，触摸屏操作，可存储20个加工程序，加工程序多可设6个不同加工阶段

13. 均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片内非均匀性WIWNU≤5%

片间非均匀性WTWNU≤5%

原创作者：深圳市矢量科学仪器有限公司