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P-1000 Pro ALDPICOSUN 生产型原子层沉积机
德国 picosun p-1000 pro ald 生产型原子层沉积机,156 mm x 156 mm硅片800~1000片/批次(双面/背对背),高达400 mm x 600 mm玻璃基板30~50片/批次(双面/背对背),(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,标准设备验收标准为 al2o3 工艺.
价 格:¥电议型 号:P-1000 Pro ALD产 地:欧洲
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P-300 Advanced ALD高级型原子层沉积机
picosun p-300 advanced ald 高级型原子层沉积机.156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(双面/背对背),高达300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(双面/背对背);roll-to-roll, 衬底最大宽 300 mm。全自动转载,用工业机器人实现,标准设备验收标准为 al2o3 工艺 .
价 格:¥电议型 号:P-300 Advanced ALD产 地:欧洲
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P-300B Advanced ALD高级原子沉积机
picosun p-300b advanced ald 高级原子沉积机,基片尺寸和类型 300mm晶圆10片/批次(标准间距),200mm晶圆25+2片/批次(标准间距),(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,标准设备验收标准为 al2o3 工艺.
价 格:¥电议型 号:P-300B Advanced ALD产 地:欧洲
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NLD-4000美Nano-master 原子沉积机
nano-master nld-4000 是一款独立式计算机控制的ald系统,全自动工艺控制并包含完整的安全连锁功能,能够沉积半导体应用中的氧化物和氮化物(比如aln, gan, tan, tin, al2o3, zro2, lao2, hfo2),支持太阳能和mems等众多域的应用
价 格:¥电议型 号:NLD-4000产 地:美洲
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DENTON磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台英国 DENTON 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台
denton 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台,提供了薄膜工业中广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。
价 格:¥电议型 号:DENTON磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台产 地:欧洲
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MEB550SL3法Plassys超高真空多腔体电子束镀膜机
法plassys超高真空多腔体电子束镀膜机meb550sl3,可以用于沉积ti, ni, au, cr, al, al2o3等金属及氧化物薄膜,目全球主要超导量子实验室均使用该设备制备超导al结(量子比特和约瑟夫森结)和量子器件,可以制备大面积、高度稳定性和可重复性超导结。
价 格:¥电议型 号:MEB550SL3产 地:欧洲
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美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD台式三维原子沉积系统ALD
美arradiance 台式三维原子沉积系统ald,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可最多容纳9片8英寸基片同时沉积。gemstar xt全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计,使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。
价 格:¥电议型 号:美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD产 地:美洲
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Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter
syskey 紧凑式溅射系统 compact sputter,- 灵活的基板尺寸,最大可达6英寸- 基板架加热温度最高可达500℃- 出 色的薄膜均匀性,误差小于±3%- 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个)- 支持射频、直流或脉冲直流电源- 最 多可支持3条气体管路- 支持顺序沉积和共沉积- 可选配负载锁定腔室
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal
syskey 紧凑式热蒸发系统 compact thermal 灵活的基板尺寸,最大可达6英寸- 基板架加热温度最高可达500℃- 出 色的薄膜均匀性,误差小于±3%- 可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个)- 速率控制沉积- 可沉积多层薄膜,选用特定目标材料- 可选配负载锁定腔室
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey高真空溅射系统 HV Sputter
高真空溅射系统 hv sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米- 基板架加热温度最高可达800℃- 出 色的薄膜均匀性,误差小于±3%- 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个)- 支持射频、直流或脉冲直流,适用于非导电或导电靶材- 可选配射频清洗和刻蚀功能- 可沉积多层薄膜,选用特定目标材料- 可与其他沉积系统集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter
超高真空磁控溅射镀膜机 uhv sputter,• 基板支架加热至 800 °c• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本• 用于非导电或导电目标的射频、直流或脉冲直流• 使用选定的目标材料沉积多层薄膜• 可与其他特高压沉积系统集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal
syskey 高真空热蒸发镀膜机hv thermal,全自动系统可满足各种应用要求,包括oled、opv、opd等。• 基板支架水冷或油冷• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 船和电池源(数量最多 12 个)• 可以共蒸发和掺杂• 用选定的目标材料沉积多层薄膜- 可与手套箱集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 超高真空热蒸发镀膜机UHV Thermal
syskey 超高真空热蒸发镀膜机uhv thermal, • 灵活的基板尺寸可达 8 英寸• 基板支架加热至 800 °c• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 船和电池源(数量最多 6 个)• 可以共蒸发和掺杂。• 用选定的目标材料沉积多层薄膜• 可与其他沉积系统集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 高真空电子束镀膜系统 HV E-beam
syskey 高真空电子束镀膜系统 hv e-beam,灵活的基板尺寸可达 12 英寸• 基板支架加热至 800 °c 或水/油/ln2 冷却• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 4/6/8 个口袋电子束源(每个口袋最多 40 cc)• 6 kw 电源可支持大部分材料蒸发• 用选定的目标材料沉积多层薄膜• 可与其他沉积技术或沉积系统集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey Lift-off E-beam 电子束蒸发镀膜系统
syskey lift-off e-beam 电子束蒸发镀膜系统,灵活的基板尺寸可达 12 英寸• 基板支架水、油或 ln2 冷却• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 4/6/8 个口袋电子束源(每个口袋最多 40 cc)• 6 kw 电源可支持大部分材料蒸发• 用选定的目标材料沉积多层薄膜• 负载锁定是可选的,效率高• 可与其他沉积系统集成• 样品倾斜是可选的
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 超高真空电子束镀膜 UHV E-beam
syskey 超高真空电子束镀膜 uhv e-beam, • 灵活的基板尺寸可达 12 英寸• 基板支架水、油或 ln2 冷却和倾斜• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 4/6/8 个口袋电子束光源(每个口袋最多 40 cc)• 6 kw 电源可支持大部分材料蒸发• 用选定的目标材料沉积多层薄膜• 2.pngtorr 是可选的铝基约瑟夫森结• 可与其他沉积系统集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 积沉多腔体镀膜系系统 PVD Cluster
syskey 积沉多腔体镀膜系系统 pvd cluster,灵活的基板尺寸可达 12 英寸• 基板支架加热或冷却• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%• 溅射/电子束/热/离子蚀刻/氧化/退气• 用选定的目标材料沉积多层薄膜• torr 可选择用于不同的设备- 可与手套箱集成
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台
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Syskey 小型多腔体镀膜机 Mini Cluster
syskey 小型多腔体镀膜机 mini cluster, 灵活的基板尺寸可达 2 英寸。• 基板支架加热或冷却。• 优 异的薄膜均匀性小于 ±3%。• 溅射/电子束/热/离子蚀刻/氧化/退气• 用选定的靶材沉积多层薄膜。• torr 可针对不同设备进行选择。- 可与手套箱集成。
价 格:¥电议型 号:产 地:中国港澳台










