当前位置：阿仪网 > 光学仪器 > 光学应用 > 光学平台 > 深圳市蓝星宇电子科技有限公司 > 产品展示 > 镀膜沉积机 > 美Arradiance > 台式三维原子沉积系统ALD美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD

台式三维原子沉积系统ALD美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD

价格：￥电议

品牌名称：$brandModel.Title型号：美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD原产地：美洲更新时间：2026/10/19 9:26:12

产品摘要：美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可最多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。

支付方式：

支付宝微信银行转账

产品完善度：访问次数：814

产品分类

企业档案

会员类型：标准版

已获得阿仪网信誉等级评定

18成长值

(0 -40)基础信誉积累，可浏览访问

(41-90)良好信誉积累，可接洽商谈

(91+ )优质信誉积累，可持续信赖

阿仪网标准版会员：8年

工商认证【已认证】

最后认证时间：

注册号：【已认证】

法人代表：【已认证】

参观次数：848592

手机网站：http://wap.app17.com/c143096/

公司网站：http://www.lxyee.net

详细内容

美Arradiance 台式三维原子沉积系统ALD

详细介绍

原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

美国Arradiance 公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可最多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。

GEMStar XT 产品特点： * 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制 * 175℃温控150ml前驱体瓶，200℃温控输运支管 * 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积 * 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体 * 标准CF-40接口 * 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件 * 等离子体辅助ALD插件 * 多种配件可供选择	GEMStar XT 产品型号： GEMStar XT： * 最大8英寸/200 mm基片沉积（4＇和6＇可选） * 单/双路前驱体输运支管， 4/8路前驱体瓶接口 * 不可升级为等离子体增强ALD GEMStar XT-R： * 最大8英寸(200mm)基片沉积（4＇和6＇可选） * 单/双路前驱体输运支管， 4/8路前驱体瓶和CF-40接口 * 可升级为等离子体增强ALD
	GEMStar XT-P： * 最大8英寸/200mm基片沉积（4＇和6 ＇可选） * 单/双路前驱体输运支管， 4/8路前驱体瓶和CF-40接口 * 装备高性能ICP等离子发生器 13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，最高运行功率达300W。 * 标配3组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。

新产品发布：	GEMStar NanoCUBE： * 最大100 mm 立方体样品沉积 * 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口 * 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积

丰富配件：
*多样品托盘：* * 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。 * 多基片夹具，最多同时容纳9片基片。		*温控热托盘：*** * 可加热样品托盘，最高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。
*粉末沉积盘：*		*臭氧发生器：*
真空进样器（Load Lock）		晶振测厚仪
前驱体瓶：		前驱体加热套
*粉末旋转沉积罐模块：* 配合热壁加热方式，进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。
*手套箱接口：* 可从侧面或背面完美接入手套箱，与从底部接入手套箱不同，不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面，反应过程中不对手套箱有加热效应，不影响手套箱内温度。