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技术文章
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- 2021/1/13KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
- 2021/1/12KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
- 2021/1/8Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
- 2021/1/7KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层
- 2021/1/6KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射制备堵片传感器薄膜
- 2021/1/5KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 应用于 AlTiN 涂层研究
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- 2020/12/30KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 制备高性能光通信带通滤光膜
- 2020/12/29KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射制备 MnGe 量子点
- 2020/12/28KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 溅射镀制 TC4 表面 TiN 涂层
- 2020/12/25KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜
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