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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置
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KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
| 射频离子源型号 | RFICP380 |
| Discharge 阳 | 射频 RFICP |
| 离子束流 | >1500 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅直径 | 30 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 15-50 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 39 cm |
| 直径 | 59 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
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该复合磁控溅射沉积装置主要包含:
1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380
2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000
3. 高功率脉冲磁控溅射电源
4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700
5. 基台
美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:
1. 大面积射频离子源
2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求
3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求
4. 离子束流: >1500 mA
5. 离子动能: 100-1200 V
6. 中和器: LFN 2000
7. 采用自动控制器, 键自动匹配
8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW
9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装
10. 栅材质钼和石墨, 坚固耐用
11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
原创作者:伯东企业(上海)有限公司


