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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置

点击次数:422 发布时间:2021/1/14 16:35:09
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叶**
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某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅直径

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

该复合磁控溅射沉积装置主要包含:

1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000

3. 高功率脉冲磁控溅射电源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基台

美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:

1. 大面积射频离子源

2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求

3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求

4. 离子束流: >1500 mA

5. 离子动能: 100-1200 V

6. 中和器: LFN 2000

7. 采用自动控制器, 键自动匹配

8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW

9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装

10. 栅材质钼和石墨, 坚固耐用

11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

原创作者:伯东企业(上海)有限公司

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