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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
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某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
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Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
| 均匀性 | ±5% | |
| 硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
| 样品台 | 直接冷却,水冷 | |
| 离子源 | Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
| 离子源型号 | RFICP 220 |
| Discharge | RFICP 射频 |
| 离子束流 | >800 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅直径 | 20 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 10-40 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 中和器 | LFN 2000 |
推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求
3. 硅片刻蚀率 20 nm/min
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