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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制气体传感器 WO3 薄膜

点击次数:349 发布时间:2021/1/22 14:41:49
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叶**
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某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO3 薄膜, 经过对比选择, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO3 薄膜.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅直径

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:

1. 大面积射频离子源

2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求

3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求

4. 离子束流: >1500 mA

5. 离子动能: 100-1200 V

6. 中和器: LFN 2000

7. 采用自动控制器, 键自动匹配

8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW

9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装

10. 栅材质钼和石墨, 坚固耐用

11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others

气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号, 并将计算机与被检测到的信号连接口相连接, 构成自动的监控、检测和报警系统. 氧化钨薄膜可以吸附各种气体, 从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化, 常常应用于气体传感器域.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

原创作者:伯东企业(上海)有限公司

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