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KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积红外器件介质膜
点击次数：308 发布时间：2021/1/15 16:05:44
商家名片
叶**
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某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
| 离子源型号 | RFICP220 |
| Discharge | RFICP 射频 |
| 离子束流 | >800 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅直径 | 20 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 10-40 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 30 cm |
| 直径 | 41 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
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提高镀膜均匀性的重要性：
以碲镉汞半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中, 几乎都要进行表面钝化和金属膜电成型工艺, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用. 在背照式红外探测器的红光收面, 往往都要涂镀层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽.
为了提高均匀性, 客户同时采用基片离心旋转法, 样品台转速为 15 r/min.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
原创作者：伯东企业（上海）有限公司
