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KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜
点击次数：103 发布时间：2020/12/25 16:15:23
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叶**
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KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜
因此某光学薄膜制造商采用20cm 的溅射源为 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
| 离子源型号 | RFICP220 |
| Discharge | RFICP 射频 |
| 离子束流 | >800 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅直径 | 20 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 10-40 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 30 cm |
| 直径 | 41 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
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运行结果:
1. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 镀制的 LaF3 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布
2. 制备的 LaF3薄膜的环境稳定性更高
3. 离子源溅射制备的减反膜透过率为99.2%, 反射率为 0.1%, 表现了较好的光学特性
伯东是德 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美 KRI 考夫曼离子源, 美HVA 真空阀门, 美 inTEST 高低温冲击测试机, 美 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
原创作者：伯东企业（上海）有限公司
