牛津开放式样品载入ALD设备OpAL
价格：￥4
品牌名称：$brandModel.Title型号：OpAL原产地：欧洲 更新时间：2026/10/19 9:26:24
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公司网站：http://www.lxyee.net
详细内容
紧凑型开放式样品载入原子层沉积（ALD）系统
OpAL提供了业的热ALD设备，可以简单明了的升使用等离子体，使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。
· 开放式样品载入热ALD，集成等离子体技术
· 现场升到可使用等离子体
· 从小晶片到200mm大晶片
适用于学术、产业、研发的热和/或等离子体化学产品，可用于：
氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金属： Ru, Pt
ALD应用举例：
· 纳米电子学
· 高k栅氧化物
· 存储电容器绝缘层-铜连线间的高纵横比扩散势垒区
· 有机发光二管和聚合物的无针孔钝化层
· 钝化晶体硅太阳能电池
· 应用于微流体和MEMS的高保形涂层
· 纳米孔结构的涂层
· 生物微机电系统
· 燃料电池
直观性强的的软件提高性能
使用与牛津仪器的值得信赖的Plasmalab ®产品家族相同的软件平台， OpAL的程序驱动、多用户别、PC2000TM控制的软件易于操作且可为快速ALD做相应修改。
OpAL provides professional thermal ALD equipment that can be easily upgraded using plasma so that plasma ａnd thermal ALD are integrated in the same compact device.
· open sample loading ALD, integrated plasma technology
· upgrade the site to use plasma
· small to 200mm chips
Thermal and/or plasma chemical products suitable for academic, industrial, research ａnd development use:
Oxides: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
Nitride: TiN, Si3N4
Metal: Ru, Pt
ALD application examples:
· nano electronics
· high k gate oxides
· high aspect ratio diffusion barrier area between storage capacitor insulation layer ａnd copper wire
· pinhole-free passivation layer for organic light-emitting diodes ａnd polymers
· passivated crystalline silicon solar cells
· high conformal coatings for microfluidics ａnd MEMS applications
· coating of nanopore structure
· biological micro-electromechanical system
· fuel cell
Intuitive software improves performance
Using the same software platform as Oxford instruments＇ trust-worthy Plasmalab ® family of products, OpAL＇s program-driven, multi-user level, PC2000TM controlled software is easy to operate ａnd can be modified for fast ALD.
热门标签：牛津OpAL开放式样品载入ALD设备,原子层沉积机
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