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氮化镓支撑片，晶片，硅片Pioneer 180-2-PLD
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品牌名称：$brandModel.Title型号：Pioneer 180-2-PLD原产地：中国大陆 更新时间：2026/10/19 9:27:19
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公司网站：http://www.lxyee.net
详细内容
4英寸氮化镓厚膜晶片
尺寸： φ100±0.1mm
厚度： 4μm、20μm
电阻率（300K）: N型（非掺杂）＜0.5Ω·cm
4 "gallium nitride thick film wafer
Size: 100 + / - 0.1 mm
Thickness: 4μm, 20μm
Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.5 ω ·cm
2英寸氮化镓厚膜晶片
尺寸： φ50.8±0.1mm
厚度： 4μm、20μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.5Ω·cm
2 "gallium nitride thick film wafer
Size: phi 50.8 + / - 0.1 mm
Thickness: 4μm, 20μm
Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.5 ω ·cm
2英寸氮化铝厚膜晶片
尺寸： φ50.8±0.1mm
厚度： 4±1.5μm
导电类型：Semi-Insulating
2 "aluminum nitride thick film wafer
Size: phi 50.8 + / - 0.1 mm
Thickness: 4 + / - 1.5 microns
Conduction type: semi-insulating
Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.5 ω ·cm
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2英寸氮化镓自支撑晶片
尺寸： φ50.8±1mm
厚度： 350±25μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm
2-inch gallium nitride self-supporting chip
Size: phi 50.8 + / - 1 mm
Thickness: 350 + 25 microns
Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.1 ω ·cm
10×10.5mm²氮化镓自支撑晶片
尺寸： 10.0×10.5mm²
厚度： 350±25μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm
10×10.5mm² gallium nitride self-supporting wafer
Size: 10.0 x 10.5 mm squared
Thickness: 350 + 25 microns
Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.1 ω ·cm
非性/半性氮化镓自支撑晶片
尺寸： （5.0~10.0）×10.0/20.0mm²
厚度： 350±25μm
电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ω·cm
Non-polar/semi-polar gallium nitride self-supported wafers
Size: (5.0~10.0) ×10.0/20.0mm²
Thickness: 350 + 25 microns
Resistivity (300K) : N type (undoped) < 0.1 ω ·cm
热门标签：氮化镓晶片,硅片,晶圆
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