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日本Elionix微细加式电子束曝光电子束直写机ELS-F125
价格：￥电议
品牌名称：$brandModel.Title型号：ELS-F125原产地：日本 更新时间：2026/10/19 9:27:15
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详细内容
日本Elionix 微细加式电子束曝光电子束直写机ELS-F125/F100/HS50
ELS-F125是Elionix推出的上台加速电压达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)
.jpg)
ELS-F125具有以下优点：
l 。超高书写精度
- 5 nm 线宽精度 @125 kV
- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应小化 @125 kV
2. 大通量、均匀性好
- 宽视野书写:500um视场下10 nm线宽
- 高束流下电子束直径依然很小，大通量而不影响分辨率，2 nm电子束直径@1 nA
3. 界面用户友好
基于Windows系统的CAD和SEM界面:
-简单易用的图案设计功能
-易于控制的电子束条件
二、主要功能
2.1 主要应用
纳米器件的微结构
集成光学器件，如光栅，光子晶体等
NEMS结构，复杂精细结构
光刻掩模板，压印模板
2.2 技术能力
三、应用
ELS-F125/F100/HS50 Electron Beam Direct Writing Machine ELS-F125/F100/HS50 Electron Beam Direct Writing Machine ELS-F125/F100/HS50
ELS-F125 is Elionix＇s world＇s first electron beam exposure system with an acceleration voltage up to 125kV. The ELS-F125 can process fine graphics with a line-width lower than 5nm.(The following parameters are based on ELS-F125)
ELS-F125 has the following advantages:
L.High writing accuracy
- 5 nm linewidth accuracy @125 kV
-1.7 nm electron beam diameter & proximity effect minimized @125 kV
2. Large flux ａnd good uniformity
- Wide field writing: 10 nm linewidth under 500um field of view
- The electron beam diameter is still small at high beam current, ａnd the resolution is not affected by large flux, 2 nm electron beam diameter @1 nA
热门标签：日本Elionix电子束曝光电子束直写机ELS-F125
