	直写模式 I*	直写模式 II*
写入性能（光栅扫描和矢量曝光模式）
小结构尺寸 [μm]	0.6	1
小线宽/线隙 [半宽, μm]	0.8	1.5
第二层对准大于 5 x 5 mm2 [3σ, nm]	500	500
第二层对准大于 50 x 50 mm2 [3σ, nm]	1000	1000
直写性能光栅扫描曝光模式
线宽变代 [3σ, nm]	200	300
大直写速率 [mm2/min]	10	30
可选“可变分辨率光栅扫描曝光模块”的写入速度(UMVAR)，适用于不同小结构尺寸。	10 mm²/min at 0.6 µm	30 mm²/min at 1 µm
	20 mm²/min at 1 µm	60 mm²/min at 2 µm
	25 mm²/min at 2 µm	100 mm²/min at 4 µm
矢量曝光模式的直写写性能
矢量模式下的地址网格 [nm]	20	20
边缘粗糙度 [3σ, nm]	30	50
线宽变化 [3σ, nm]	70	80
大线性直写速率	200 mm/s	200 mm/s
系统参数
大衬底尺寸	5″ x 5″	5″ x 5″
小衬底尺寸	5 mm x 5 mm	5 mm x 5 mm
基板厚度	0.1 to 12 mm	0.1 to 12 mm
	光栅扫描模块	矢量曝光模块
光源	LED; 390 nm or 365 nm	Laser; 405 nm and/or 375 nm

系统尺寸(光刻单元)

µMLA	Width	Depth	Height	Weight
主机	630 mm (25″)	800 mm (31.5″)	530mm (21″)	100 kg (220 lbs)
可选配防振表	1400mm (55″)	700 mm (28″)	750 mm (30″)	350 kg (770 lbs)

无掩模光刻机于2015年次推出。从那时起，先进的无掩膜技术已经确立。μMLA提供了新代的桌面激光光刻工具: 配置设置精确到您的需要与光栅扫描和矢量扫描模式(或两者)和可变分辨率的记录磁头。

在许多应用中，传统的光掩膜已经成为过去，因为你的设计文件是通过二维空间光直接暴露在电阻涂层晶圆上的调制器(SLM)。µMLA是MLA100的直接继承者，是“小”MLA150，是我们先进的无掩模对准器的兄弟，它是许多多用户设备、纳米制造实验室和国家研究所中值得信赖、不可或缺的主力。

在我们全新的入门系统µMLA的开发过程中，我们引入了诸如可变解决方案等新特性，并创建了个灵活且高度可定制的桌面系统。当然，小样本处理很简单。µMLA功能所有好的在我们以的桌面系统，同时提供更多的选择和更高的性能比以往任何时候。

应用包括研究和发展的域，如MEMS，微流体，微光学和所有其他域，负担得起，紧凑，和强大的模式基因rator微结构是必需的。

APPLICATIONS 应用程序

微光学:二元衍射光学元件。设计由1个µm²正方形组成。

μMLA提供了个标准的灰度模式，这可以制造低创造的微镜头。防蚀胶：15 μm厚AZ4562。节距30 μm，曲率半径16 μm。

CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA

两种曝光模式

μMLA可以让你选择光栅扫描曝光模式和矢量模式，或者甚至在同个系统上运行曝光模式! 光栅扫描曝光模式快速，并提供优秀的图像质量和保真度，而写入时间独立于结构尺寸或图案密度。矢量扫描模式可以帮助暴露由曲线组成的设计，当需要平滑的轮廓。虽然矢量模式产生的图像质量与光栅扫描曝光模式相似，但它不能达到同样的写入速度，特别是对于高填充系数的模式。

A Choice of Wavelengths 波长的选择

因此，你可以在个系统上使用多达三个不同波长(LED和/或激光二管)。

Variable Resolution 可变分辨率

我们新开发的可变分辨率函数允许您为个部分的编写模式选择三种不同的分辨率。只需在软件菜单中选择解决方案，并为您的应用程序优化参数。

The Surface at One Glance

可选的概述相机提供了种简单的方法来定位对准标记或其他特征感兴趣的基板上。

Small Sample Handling 小样本处理

小样品处理是直接与μMLA: 光学自动对焦选项允许准确曝光，直到样品的边缘。

5 mm x 5 mm

原创作者：深圳市蓝星宇电子科技有限公司

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