本方案采用三箱式冷热冲击试验设备，利用高低温腔与测试腔独立结构，实现温度快速切换，避免温度过冲，适配半导体封装敏感特性。试验设定高温段 125℃，低温段 - 40℃，高低温驻留时间各 15min，转换时间≤10s，循环冲击次数依据产品规范设定，常规 100～1000 循环。样品置于专用防静电工装，工装导热均匀、不遮挡气流，防止局部温差造成试验偏差。

试验流程分为三个阶段：试验前预处理、冷热冲击循环、试验后检测。预处理阶段，记录样品编号、外观、初始电性参数，使用 X-Ray 扫描，留存内部结构基准图像。进入冲击循环阶段，设备自动完成腔体切换，系统实时记录每一次循环温度曲线、冲击时长，出现异常报警自动停机保护样品。

达到设定循环次数后取出样品，静置至常温，依次开展外观检查、电性测试以及 X 射线检测。重点排查塑封料与芯片界面分层、BGA 焊球裂纹、引脚脱开、键合线断裂等典型冷热冲击失效。对比试验前后电性数据与内部结构影像，判定样品是否失效，记录失效循环数，结合加速模型推算正常使用工况下的预估寿命。

试验完成后汇总温度日志、电性数据、影像报告，输出可靠性结论，识别封装薄弱点，指导塑封材料选型、基板设计、焊装工艺优化，帮助半导体企业提前规避终端使用中因温变应力引发的早期失效，满足车规、工控半导体高可靠准入要求。