试验设备采用高低温试验箱，提前完成温场校准，热电偶贴附在封装样品本体，以样品温度为准，而非腔体内空气温度。设置试验剖面：温度区间 - 40℃～125℃，升降温速率 3℃/min，高低温端驻留 15min，保证材料内部温度充分均衡，循环总数 1000 次，工业级芯片材料可按需调整至 500 或 2000 次。试验前采集基线数据：外观拍照、C-SAM 扫描、剪切强度、绝缘电阻、DSC 热性能测试。样品均匀放置在箱内工装支架上，样品之间预留通风间隙，不堆叠遮挡风道。设置设备超温报警、断电保护，全程自动记录温度曲线。采用分段抽检机制，每 250 个循环暂停试验，取出样品在常温静置恢复 2h 后开展全套检测，记录缺陷数量、分层面积、强度衰减率；若出现分层扩大、开裂、绝缘电阻大幅下降，判定样品失效并标记编号。全部循环结束后统一做终检，对比循环前后材料性能衰减幅度。试验完成后整理数据，统计失效数量、失效循环节点，结合金相切片分析失效机理，区分是材料本身耐温不足还是界面结合问题。判定准则：外观无明显裂纹，分层面积增长不超过 5%，剪切强度保留率≥80%，绝缘电阻无数量级下降，即为合格。试验报告附带温度曲线、C-SAM 图谱、金相照片，支撑封装材料评估与迭代。