试验设备选用线性快速温变试验箱，具备可控升降温速率、腔内均匀控温、数据实时记录功能。按照 AEC-Q100 Grade1 设置温度区间：-40℃～+125℃，升降温速率 10℃/min；高低温端点驻留 15min，保证芯片本体温度稳定，单次循环由低温驻留、升温、高温驻留、降温组成，总循环 1000 次。试验环境无凝露，箱内气流均匀，样品放置互不遮挡，避免局部温差干扰测试结果。试验前记录样品 ID、初测参数；试验全程间隔固定周期停机抽检功能状态，重点监控芯片通信异常、漏电增大、输出漂移等现象。全部循环完成后，样品取出静置恢复至常温，复测电性指标与功能，对比初始数据。判定标准：外观无裂纹、封装无分层、引脚无损伤；直流参数、时序、通信功能满足规格书要求，参数漂移在允许范围内即判定合格；出现功能失效、参数超差、封装损伤则判定失效，转入失效分析。本方案区别于普通冷热冲击，可控线性温变更贴近车辆行驶时缓慢温度变化场景，兼顾研发摸底与正式认证。通过加速热疲劳应力，复现整车长期冷热启停带来的可靠性风险，提前优化封装结构、焊盘工艺与 PCB 布局，降低装车后 field 失效概率，满足车载电控、动力域、座舱域芯片的可靠性准入要求。