本次测试采用快速温变试验箱开展，设备温变速率可调范围0.1℃/min～15℃/min，温度控制精度±0.5℃，满足芯片快速温变应力测试要求。测试温区设定为-40℃～+125℃，适配绝大多数工业及车载芯片测试工况，温度驻留时间各10min，单次循环时长30min，累计完成1000次温度循环测试。

测试前将样品均匀放置于试验箱内部网架，避免样品堆叠遮挡，保障每颗芯片温变环境一致，连接电气监测模块，全程实时监控芯片工作状态。测试过程中按照标准线性速率完成升降温切换，杜绝温度超冲，全程记录温度曲线、循环次数及芯片实时电气参数。

测试完成后，对样品进行外观目视检查、X射线无损检测及电气性能复测，对比初始基线数据。判定标准为：样品无封装开裂、引脚脱落、内部脱层等物理缺陷，电气参数偏差在允许范围内，无断路、短路、功能异常问题，即为测试合格，否则判定为温变应力失效，同步记录失效类型及点位，为芯片工艺优化提供数据支撑。