测试前完成设备校准，调试快速温变试验箱参数，设定标准测试区间-55℃～+125℃，适配通用半导体芯片测试需求，车载级芯片可升级为-65℃～+150℃。设置温度升降速率10℃/min，高低温极值驻留时间10min，确保芯片整体充分受热、冷却，承受温度应力。将样品均匀放置于试验箱置物架，避免堆叠遮挡，保证温场均匀覆盖。

启动设备开展循环测试，单次循环包含低温驻留、升温、高温驻留、降温四个阶段，累计完成100～500次循环测试。每50次循环暂停测试，取出样品进行外观检查和电学参数检测，精准记录各项数据。测试结束后，对比样品测试前后的结构状态与电气参数，参数超差、功能失效、结构破损均判定为测试不合格，最后整理数据、分析失效机理，出具完整测试报告。

启动设备开展循环测试，单次循环包含低温驻留、升温、高温驻留、降温四个阶段，累计完成100~500次循环测试。每50次循环暂停测试，取出样品进行外观检查和电学参数检测，记录各项数据。测试结束后，对比样品测试前后的结构状态与电气参数，参数超差、功能失效、结构破损均判定为测试不合格，最后整理数据、分析失效机理，出具完整测试报告。