等离子体沉积ALD注意事项有哪些？

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1. 产品概述：

等离子体化学气相沉积（ plasma chemical vapor deposition）简称PCVD，是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。

2. 设备用途/原理：

PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激活能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。

3. 特色参数：

可以在原子层水平上实现均匀的层控制。

可实现高纵横比结构的共形沉积。

具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。

采用反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。

通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。

氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。

电子设备的闸门绝缘子

半导体、有机EL等的钝化膜。

半导体激光器的反射面

在MEMS等3D结构上的沉积

石墨烯上的沉积

碳纳米管保护膜粉末涂层

4. 设备特点

等离子体沉积ALD AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。