燃烧炉产品及厂家
1100℃高压炉otf-1200x-hp-55是开启式高温高压管式炉，炉管采用 ss310s镍基合金钢制作而成，最高压力高达20mpa，最高温度可达1100℃，并可通入多种氧化或惰性保护气体，是用于高压制备新材料，以及作为小型热等静压处理合金样品的理想设备。
更新时间:2025-08-30
800℃双温区高压炉otf-1200x-ii-hvhp-80是高温高压管式炉，炉管采用 ss310s镍基合金钢制作而成，两端配有法兰和阀门，专为在105 psi高压下使用，可在通入氧化或惰性气体的气氛下，处理特殊的化合物。本机采用pid方式进行控
更新时间:2025-08-30
800℃高压炉otf-1200x-hvhp-80是高温高压管式炉，炉管采用 ss310s镍基合金钢制作而成，两端配有法兰和阀门，专为在105 psi高压下使用，可在通入氧化或惰性气体的气氛下，处理特殊的化合物。
更新时间:2025-08-30
生长纳米线cvd炉otf-1200x-4-nw是一种紧凑型cvd炉，专为生长各种纳米线而设计，基片最大3″。在法兰的左侧装有一个小加热器，可对输入的气体、液体、固体进行预加热后进入 cvd 炉进行纳米线的生长。其可滑动的样品架使操作更为简单。
更新时间:2025-08-30
200℃双管三温区管式炉（石墨烯生长）otf-1200x-iii-d5-4最高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用cvd方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和其他电池电极材料等。
更新时间:2025-08-30
400℃小型管式炉gsl-1400x是小型高温管式炉，采用高纯氧化铝刚玉炉管和硅碳棒加热元件，设有两个真密封法兰，控制系统采用高精度可控硅移相触发控制，其控温精度为±1℃，可设置30段升降温程序，最高温度可达1400℃。
更新时间:2025-08-30
1600℃双温区高温真空管式炉gsl-1600x-ⅱ每个加热区域长300mm，由30段智能温度调节仪进行控温，采用硅钼棒加热元件温度可达1600℃，采用硅碳棒加热元件温度可达1400℃，通过调节两个温区的控温程序使炉管内温度场形成一温度梯度。本机可用于cvd或pvd方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。控温仪表操作视频
更新时间:2025-08-30
1500℃真空立式淬火炉otf-1500x-80-vtq一款是立式可开启真空管式淬火炉，配有一个密封的液体容器用于样品淬火，样品可从最高温度1500℃环境中快速落入冰水或冷油中，可用于研究材料相转变和微结构性能。
更新时间:2025-08-30
1200℃五温区开启式管式炉otf-1200x-v每个温区分别由独立的温控系统控制，通过调节各个温区的温度，可以在加热区内形成四段温度梯度，或形成较长的恒温区域。本机用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验或小批量生产，主要针对电子陶瓷的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（cvd）等工艺。具有控温精度高，保温效果好，温度范围大，温度均匀性高，温区多，可通气氛抽真空及安全可靠、操作简单等特点。
更新时间:2025-08-30
1200℃三温区开启式管式炉otf-1200x-ⅲ每个温区分别由独立的温控系统控制，具有控温精度高，保温效果好，温度范围大，温度均匀性高，温区多等特点。本机可通气氛抽真空，操作简单，安全可靠。
更新时间:2025-08-30
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