燃烧炉产品及厂家

  电弧燃烧炉中常用的添加剂有纯锡粒和硅钼粉
电弧燃烧炉中常用的添加剂有纯锡粒和硅钼粉硅钼粉,锡粒,纯铁助熔剂仪器试剂锡粒,纯铁,硅钼粉的用途电弧燃烧炉是我国钢铁行业在高速分析中使用普遍和实用的一种燃烧炉,因其操作简单,节约能源耗材,稳定耐用,价
更新时间:2025-09-01
布里奇曼单晶生长炉
布里奇曼单晶生长炉
更新时间:2025-08-30
1100℃高压炉OTF-1200X-60UV
1100℃高压炉otf-1200x-hp-55是开启式高温高压管式炉,炉管采用 ss310s镍基合金钢制作而成,最高压力高达20mpa,最高温度可达1100℃,并可通入多种氧化或惰性保护气体,是用于高压制备新材料,以及作为小型热等静压处理合金样品的理想设备。
更新时间:2025-08-30
800℃双温区高压炉OTF-1200X-II-HVHP-80
800℃双温区高压炉otf-1200x-ii-hvhp-80是高温高压管式炉,炉管采用 ss310s镍基合金钢制作而成,两端配有法兰和阀门,专为在105 psi高压下使用,可在通入氧化或惰性气体的气氛下,处理特殊的化合物。本机采用pid方式进行控
更新时间:2025-08-30
800℃高压炉OTF-1200X-HVHP-80
800℃高压炉otf-1200x-hvhp-80是高温高压管式炉,炉管采用 ss310s镍基合金钢制作而成,两端配有法兰和阀门,专为在105 psi高压下使用,可在通入氧化或惰性气体的气氛下,处理特殊的化合物。
更新时间:2025-08-30
生长纳米线CVD炉OTF-1200X-4-NW
生长纳米线cvd炉otf-1200x-4-nw是一种紧凑型cvd炉,专为生长各种纳米线而设计,基片最大3″。在法兰的左侧装有一个小加热器,可对输入的气体、液体、固体进行预加热后进入 cvd 炉进行纳米线的生长。其可滑动的样品架使操作更为简单。
更新时间:2025-08-30
1200℃双管三温区管式OTF-1200X-III-D5-4
200℃双管三温区管式炉(石墨烯生长)otf-1200x-iii-d5-4最高工作温度可以达到1200℃,专门针对于用cvd方法在金属箔上生长薄膜物质,如石墨烯、太阳能电池的电极材料和其他电池电极材料等。
更新时间:2025-08-30
1400℃小型管式炉GSL-1400X
400℃小型管式炉gsl-1400x是小型高温管式炉,采用高纯氧化铝刚玉炉管和硅碳棒加热元件,设有两个真密封法兰,控制系统采用高精度可控硅移相触发控制,其控温精度为±1℃,可设置30段升降温程序,最高温度可达1400℃。
更新时间:2025-08-30
1600℃双温区高温真空管式炉GSL-1600X-Ⅱ
1600℃双温区高温真空管式炉gsl-1600x-ⅱ每个加热区域长300mm,由30段智能温度调节仪进行控温,采用硅钼棒加热元件温度可达1600℃,采用硅碳棒加热元件温度可达1400℃,通过调节两个温区的控温程序使炉管内温度场形成一温度梯度。本机可用于cvd或pvd方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。控温仪表操作视频
更新时间:2025-08-30
1500℃真空立式淬火炉OTF-1500X-80-VTQ
1500℃真空立式淬火炉otf-1500x-80-vtq一款是立式可开启真空管式淬火炉,配有一个密封的液体容器用于样品淬火,样品可从最高温度1500℃环境中快速落入冰水或冷油中,可用于研究材料相转变和微结构性能。
更新时间:2025-08-30
1200℃五温区开启式管式炉OTF-1200X-V
1200℃五温区开启式管式炉otf-1200x-v每个温区分别由独立的温控系统控制,通过调节各个温区的温度,可以在加热区内形成四段温度梯度,或形成较长的恒温区域。本机用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验或小批量生产,主要针对电子陶瓷的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(cvd)等工艺。具有控温精度高,保温效果好,温度范围大,温度均匀性高,温区多,可通气氛抽真空及安全可靠、操作简单等特点。
更新时间:2025-08-30
1200℃三温区开启式管式炉OTF-1200X-Ⅲ
1200℃三温区开启式管式炉otf-1200x-ⅲ每个温区分别由独立的温控系统控制,具有控温精度高,保温效果好,温度范围大,温度均匀性高,温区多等特点。本机可通气氛抽真空,操作简单,安全可靠。
更新时间:2025-08-30
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