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高真空超洁净气氛炉
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价格：￥电议
更新日期：2026/5/11 14:15:23
生 产 地：中国大陆
产品型号：HITSemi-VAF-1500
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详细内容
高真空超洁净气氛炉集真空抽气系统、真空炉膛、温度控制系统、气路系统、压力保护系统为一体。炉衬使用多层钨钼金属反射屏制作而成。
采用钨片为加热元件；是专为高等院校、科研院所的实验室及工矿企业对陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料开发、特种材料、建材、金属、非金属及其它化合物材料进行烧结、融化、分析、生产而研制的专用设备。
主要特点
本产品采用可靠的集成化电路，工作环境好，抗干扰。
最高温度时炉体外壳温度≤40°C，大大提高了工作环境。
微电脑程序控制，全自动升温/降温，运行中可以修改控温参数及程序，灵活方便、操作简单。
具有正负压显示，炉膛超压保护、超温保护，水流水压水温保护，断偶保护。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-VAF-1500 |
| 温度控制系统 | 长期工作温度：1400°C（可选配，1600°C） |
控制范围：50°C~1800°C | |
控温精度：±1°C（集成化电路控制，无超调现象） | |
炉内温场均匀度：±2°C（根据加热室大小而定） | |
升温速率：可自由调节，范围：最快升温速率每分钟20°C（非线性）、最慢升温速率每小时1°C（非线性） | |
| 炉膛 | 炉膛尺寸（有效热场）：300mm × 200mm × 200 mm |
发热元件：高纯金属钨片（禁止在800°C以上通入N2） | |
发热元件安装位置：鼠笼式结构 | |
隔热保温：炉膛内采用10层反射屏（3层钨、2层钼、2层310S、3层304） | |
| 炉体结构 | 炉体结构：304不锈钢水冷双层炉体结构，保证良好工作环境 |
炉体外壳温度：长期使用不停炉，外壳温度小于45°C（有水温检测） | |
| 水冷系统 | 接口：进、排水口设有接口，可直接连接用户循环水系统 |
| 保护：排水管带过压保护;停水时声光报警和互锁装置启动，同时开启紧急冷却水 | |
| 冷水机（可选配） | |
| 真空系统 | 极限真空度：6×10-4 Pa（空炉冷态洁净） |
工作真空度：6×10-3 Pa（空炉洁净） | |
| 真空机组 | 分子泵+机械泵（可选配，干泵） |
气路系统 | 可通气体：Ar、H2 |
充气系统：加热过程中可调节真空度 | |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 控制系统 | PLC+触摸屏 |
设备工作条件
供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz；90KVA（设备供电由两路组成，一路系统供电，一路加热供电） |
功率 | 60KW |
冷却水 | ≤100L/min |
水压 | 0.1Mpa~0.15MPa |
水温 | 18℃～25℃ |
气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
工作环境温度 | 10℃～40℃ |
工作环境湿度 | ≤50% |
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jing的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*shou*板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层
-gao*xin*ji*shu企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权专利；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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1-3-6-3-2⁻⁷-5-0-0-1⁻⁷
