联系我们
联系人：戴小姐
产品展示
水平真空管式炉
点击次数：183
价格：￥电议
更新日期：2026/5/11 14:15:23
生 产 地：中国大陆
产品型号： HITSemi-VTF-260
- 电话: 13******017
- 手机: 13******017
- 微信:
- 交换名片后展示联系方式 → →
详细内容
水平真空管式炉配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现工件的热工艺。
设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。
主要特点
炉膛具有良好的温度均匀性、保证工艺温区。
控温精度高、保温效果好、温度范围大。
工艺气路采用VCR连接，密封性好。
具有正负压显示，炉膛超压保护、超温保护，水流水压水温保护，断偶保护。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-VTF-260 |
| 最高温度 | 1150°C |
| 工作温度 | ≤1100°C |
| 炉管 | 进口石英；φ250mm × 1500mm（可定制） |
| 恒温区长度 | ≥400mm（可定制） |
| 控温段数 | 3段；可以三段单独控制 |
| 升温速率 | 1°C/min~10°C/min可调 |
| 控温精度 | ±1°C |
| 测温精度 | ±1%FS |
| 温控保护 | 具有过温保护，断偶保护，漏电保护（加漏电保护器）等功能 |
| 控温模式 | 控温模式：采用30段程序控温智能PID调节，微电脑控制，可编程式控温曲线，无需看守（全自动升、降、保温） |
| 气体流量量程 | N2-10SLM，Ar-10SLM |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 控制系统 | PLC+触摸屏 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz |
| 功率 | 约30KW |
| 冷却水 | ≤150L/min |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jing的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*shou*板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层
-gao*xin*ji*shu企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权专利；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
1-3-6-3-2⁻⁷-5-0-0-1⁻⁷
