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小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备

小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备

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更新日期:2026/5/11 14:15:23

生 产 地:中国大陆

产品型号:HITSemi-LPCVD-150

简单介绍:小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下,通过化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

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相关标签:LPCVD设备厂家,化学气相沉积设备,薄膜沉积

详细内容

小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下,通过化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

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主要特点
小型化,方便实验室操作和使用,大幅降低实验成本。
设备为水平卧式结构。
反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用。
设备电控部分采用了xian*jin*的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。
系统提供自动控制无扬尘装置。

技术参数

产品型号HITSemi-LPCVD-150
基片类型不规则形状的散片、φ2~φ4英寸标准基片
基片装载数量标准基片:1片~2片;不规则尺寸散片:若干
基片放置方式配置三种基片托架:竖直、水平卧式、带倾角
真空系统机械泵、干泵(可选配)
炉管石英管ø150mm,长度1200mm
恒温区长度300mm
最高温度1100℃
升温速率0~50℃/min
恒温区控温精度≤±1℃
工作压强范围13Pa~1330Pa
压力控制闭环充气式控制
膜层均匀性优于±5%
装片方式手动进出样品
工艺气体SiH4 、NH3、N2O、N2
恒温制冷水箱可选配
空气压缩机可选配
注:不含尾气处理系统

设备工作条件

供电三相五线制,AC 380V,50Hz;接地电阻≤1Ω
功率根据设备规模配置,峰值功率(20KW~30KW)
冷却水≤100L/min
水压0.1Mpa~0.15MPa
水温18℃~25℃
气动部件供气压力0.5MPa~0.7MPa
质量流量控制器供气压力0.05MPa~0.2MPa
工作环境温度10℃~40℃
工作环境湿度≤50%


关于我们

鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

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公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备xian*jing的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

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公司团队技术储备及创新能力

2024~2026

-与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破(X *guang*gan*shou*板及光电器件的薄膜生长)

-鹏城微纳技术(沈阳)有限公司子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层

-gao*xin*ji*shu企业

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573;

-创新型中小企业;

-获50+项知识产权专利;

-企业信用评价AAA级信用企业;ISO三体系认证;

-子公司晶源半导体成立

2022

-子公司鹏城微纳成立;

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISO9001质量管理体系证书

2021

-鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2017

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2007

-设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)

2005

-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

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LPCVD设备厂家,化学气相沉积设备,薄膜沉积

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