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高真空电阻热蒸发镀膜一体设备
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价格：￥电议
更新日期：2026/5/11 14:15:23
生 产 地：中国大陆
产品型号： HITSemi-PVD-420TE
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详细内容
高真空电阻热蒸发镀膜一体设备采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。
可用于材料的物理和化学研究。可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
主要特点
真空度高、抽速快、基片装卸方便。
PID自动控温，成膜均匀、放气量小和温度均匀。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-PVD-420TE |
| 基片尺寸 | 1" ~6“ |
| 电阻热蒸发源 | 1个～4个 |
| 电阻热蒸发源组件 | 钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件 石英舟热蒸发源组件 钨极或钨蓝热蒸发源组件 钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚） 束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚） |
| 腔体材质 | 304/316（选配）不锈钢，电解抛光 |
| 真空系统 | 分子泵+机械泵 |
| 极限真空 | 5×10-5Pa |
| 恢复工作背景真空 | 大气至7×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气） |
| 设备总体漏放率 | 关机12小时真空度≤8Pa |
| 工艺电源 | 直流蒸发电源、束源炉蒸发电源 |
| 基片台 | 基片台可加热600℃、可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配） |
| 膜厚均匀性 | 优于±5% |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 等离子清洗源 | 可选配 |
| 膜厚监控 | 可选配 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω |
| 功率 | 根据设备规模配置，峰值功率（10KW~20KW） |
| 冷却水 | ≤100L/min |
| 水压 | 0.1Mpa~0.15MPa |
| 水温 | 18℃～25℃ |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jing的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*shou*板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层
-gao*xin*ji*shu企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权专利；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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1-3-6-3-2⁻⁷-5-0-0-1⁻⁷
