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高真空磁控溅射镀膜设备（矩形靶）
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价格：￥电议
更新日期：2026/5/11 14:15:23
生 产 地：中国大陆
产品型号：HITSemi-PVD-650SR
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详细内容
高真空磁控溅射镀膜设备主要是用矩形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV xian*jin*封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。
主要特点
一机多用，支持平面、圆柱体、碗状/整流罩等多种形状基片镀膜。
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
样品台可增加偏压装置，可用于深孔镀膜；可调控镀膜质量。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-PVD-650SR |
| 基片尺寸 | 平面矩形基片：≤350mm×120mm；单次装载量：4片 运动方式：公转，或单一定位 圆柱体工件：≤φ150×350mm；单次装载量：4片 运动方式：公转+自转，或单一定位自转 圆形基片：≤φ100mm；单次装载量：1片 运动方式：仅自转 |
| 靶材尺寸 | 矩形磁控靶：400mm x100mm 圆形磁控靶：φ3英寸 |
| 磁控溅射靶数量 | 2支~4支（可选配） |
| 适用材料 | 金属、绝缘材料、铁磁材料均可 |
| 腔体材质 | 304/316（选配）不锈钢，电解抛光 |
| 真空系统 | 分子泵+干泵机组 |
| 极限真空 | 8.0X10-5Pa |
| 恢复工作背景真空 | 大气至8.0×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气） |
| 设备总体漏放率 | 关机12小时真空度≤8Pa |
| 溅射方式 | 单独溅射 |
| 工艺电源 | 射频电源、中频电源、HIPIMS高能脉冲电源、直流脉冲电源、直流溅射电源 |
| 基片台加热温度 | φ100mm基片工件台，可加热温度最高约600℃ 其它工件台，可加热温度最高约300℃ |
| 多功能工件台 | 可旋转、可加热、可加偏压 |
| 膜厚均匀性 | 平面基片优于±3%，异形基片根据形状待定 |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 工艺气体 | 3路（N2、Ar、O2） |
| 基片台偏压 | 可选配 |
| 等离子清洗源 | 可选配 |
| 膜厚监控 | 可选配 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω |
| 功率 | 根据设备规模配置，峰值功率（10KW~80KW） |
| 冷却水 | ≤100L/min |
| 水压 | 0.1Mpa~0.15MPa |
| 水温 | 18℃～25℃ |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 18℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
关于我们
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jing的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
2024~2026
-与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*shou*板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层
-gao*xin*ji*shu企业
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权专利；
-企业信用评价AAA级信用企业；ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2005
-设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
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