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FIB-SEM三束系统
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价格：￥电议
更新日期：2026/9/8 4:00:33
生 产 地：日本
产品型号：NX2000
商家名片
刘**
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相关标签：聚焦离子束系统,FIB-SEM,NX2000,聚焦离子束扫描电镜
详细内容
FIB-SEM三束系统NX2000，在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析域，FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来，目标观察物更趋微细化；更薄，更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司，整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术，再加上加工方向控制技术以及Triple Beam（选配）技术，推出了新一代产品NX2000
运用高对比度，实时SEM观察和加工终点检测功能，可制备厚度小于20 nm的超薄样品
近来，目标观察物更趋微细化；更薄，更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司，整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术，再加上加工方向控制技术以及Triple Beam（选配）技术，推出了新一代产品NX2000
运用高对比度，实时SEM观察和加工终点检测功能，可制备厚度小于20 nm的超薄样品
加工方向控制技术（Micro-sampling®系统（选配）+高精度/高速样品台）对于抑制窗帘效应的产生，以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。
加工方向控制
Triple Beam®（选配）可提高加工效率，并能使消除FIB损伤自动化
EB：Electron Beam（电子束）
FIB：Focused Ion Beam（聚焦离子束）
Ar：Ar ion beam（Ar离子束）
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| FIB镜筒 | |
| 分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速电压 | 0.5～30 kV |
| 束流 | 0.05 pA ～ 100 nA |
| FE-SEM镜筒 | |
| 分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
| 加速电压 | 0.5～30 kV |
| 电子枪 | 冷场场发射型 |
| 探测器 | |
| 標準検出器 | In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器 |
| 样品台 | X：0 ～ 205 mm Y：0 ～ 205 mm Z：0 ～ 10 mm R：0 ～ 360°连续 T：-5 ～ 60° |
常规加工时
FIB加工时的实时SEM观察例
样品：NAND闪存
加速电压：1 kV
FOV：0.6 µm
聚焦离子束系统,FIB-SEM,NX2000,聚焦离子束扫描电镜
